掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响

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- 掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响
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- 传感器与微系统 2002年第3期页码：61-64
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- DOI：10.13873/j.1000-97872002.03.021
  中图分类号： TN304.055
- 纸质出版：2002
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掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响[J]. 传感器与微系统, 2002,(3):61-64.
掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响[J]. 传感器与微系统, 2002,(3):61-64. DOI： 10.13873/j.1000-97872002.03.021.

DOI：

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜

然后在高于 4 5 0℃条件下进行氧化、热处理 (玻璃衬底 )获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于 80 0℃温度条件下进行液态源掺杂

获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明

掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善

有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻

同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善

胡英,周晓华,魏红军.CuO—ZnO异质结气体传感器的敏感性能[J].传感器技术,2000(06).

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