带锥敏感薄膜形变特性有限元仿真

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带锥敏感薄膜形变特性有限元仿真

更新时间：2025-09-11

- 带锥敏感薄膜形变特性有限元仿真
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- 传感器与微系统 2001年第9期页码：36-37+40
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国防预研基金项目 ( 8.7.4.7)
- DOI：10.13873/j.1000-97872001.09.012
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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带锥敏感薄膜形变特性有限元仿真[J]. 传感器与微系统, 2001,(9):36-37+40.
带锥敏感薄膜形变特性有限元仿真[J]. 传感器与微系统, 2001,(9):36-37+40. DOI： 10.13873/j.1000-97872001.09.012.

DOI：

在一种新的基于真空二极管原理的场发射压力传感器中

阴极发射尖锥体和敏感薄膜制备于同一硅片上

从而简化了传感器的封装工艺

但因此可能导致传感器灵敏度的减小。利用有限元仿真技术

计算了在外部压力作用下

几何形状比较复杂的带尖锥体敏感薄膜的横向挠度形变特性。计算结果表明

与不带尖锥体的敏感薄膜相比较

带尖锥体敏感薄膜在额定外部静压力作用下的最大横向挠度的减小量小于 0 .4%

因此对传感器灵敏度的影响可以忽略不计

廖波,韩建保,林鸿溢,王越.纳米Si薄膜场发射压力传感器研究[J].自然科学进展,2001(05).

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