常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

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常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

更新时间：2025-09-11

- 常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究
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- 传感器与微系统 2001年第9期页码：16-17
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- DOI：10.13873/j.1000-97872001.09.005
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究[J]. 传感器与微系统, 2001,(9):16-17.
常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究[J]. 传感器与微系统, 2001,(9):16-17. DOI： 10.13873/j.1000-97872001.09.005.

DOI：

介绍了以SnO2 为主

掺入Al2 O3

MgO

InO

Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制

即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件

需要最佳的制备方法和最好的添加剂

王岚,何敬文,王给祥,刘秀英,李春鸿.SnO_2光敏、气敏元件的性能研究[J].真空科学与技术,1996(03).

郭进，邓希敏，薛万川.掺杂SnO_2气敏特性的量子化学研究[J].化学物理学报,1994(06).

张维新,柳连俊.二氧化锡材料气敏机理的研究[J].半导体学报,1989(02).

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