InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性

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更新时间：2025-09-11

- InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2001年第8期页码：7-9
- 作者机构：
  
  华南师范大学华南量子电子学研究所,广东,广州,510631
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  广东省自然科学基金重点项目 (963 0 5 8);广东省高新技术产业发展资金(成果孵化)项目(98FF01)
- DOI：10.13873/j.1000-97872001.08.003
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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黄钊洪. InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性[J]. 传感器与微系统, 2001,(8):7-9.
黄钊洪. InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性[J]. 传感器与微系统, 2001,(8):7-9. DOI： 10.13873/j.1000-97872001.08.003.

DOI：

通过真空镀膜工艺获得磁阻灵敏度RB R0 >4.0 (B=0 .3T)的InSb -In共晶体磁阻薄膜。公布了用X射线衍射法对这种薄膜进行物相分析的结果和它的磁阻特性曲线

它表明薄膜中主要含有 (111)晶面的InSb和 (10 1)晶面的In

还有 (2 2 0 )、(311)、(40 0 )、(5 11)晶面的InSb和 (0 0 2 )、(10 3)、(110 )、(112 )、(2 0 0 )、(2 11)、(2 13)晶面的In

它们构成InSb -In共晶体。而且这种薄膜的磁阻特性曲线仍遵循单晶型InSb的规律

《电子元件材料手册》编写组编,曲喜新主编.电子元件材料手册[M].电子工业出版社,1989.

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