华南师范大学量子电子学研究所,广东,广州,510631
纸质出版:2001
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黄钊洪. InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器[J]. 传感器与微系统, 2001,(7):11-13.
黄钊洪. InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器[J]. 传感器与微系统, 2001,(7):11-13. DOI: 10.13873/j.1000-97872001.07.003.
DOI:
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS)
并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db
待测的 5 0Hz交流电流在 40~ 110mA之间变化时
输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化
并且两者之间有比较好的线性关系
标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4~ 46 ) :1。
《电子元件材料手册》编写组编,曲喜新主编.电子元件材料手册[M].电子工业出版社,1989.
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