采用MEMS技术制造硅磁敏三极管

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采用MEMS技术制造硅磁敏三极管

更新时间：2025-09-11

- 采用MEMS技术制造硅磁敏三极管
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2001年第5期页码：49-52
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目! (60 0 760 2 7)
- DOI：10.13873/j.1000-97872001.05.016
  中图分类号： TN32
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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采用MEMS技术制造硅磁敏三极管[J]. 传感器与微系统, 2001,(5):49-52.
采用MEMS技术制造硅磁敏三极管[J]. 传感器与微系统, 2001,(5):49-52. DOI： 10.13873/j.1000-97872001.05.016.

DOI：

摘要

阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明

设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容

而且便于集成化

将有广泛的应用领域。

Abstract

关键词

Keywords

references

温殿忠,邱成军,庄玉光.P~+πN~+器件压磁电效应的研究[J].传感技术学报,1996(02).

黄得星.双注入型磁敏二极管的设计[J].电子科学学刊,1986(02).

黄得星.长基区晶体管的磁敏感效应[J].半导体学报,1982(04).

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