抗高过载微压传感器

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抗高过载微压传感器

更新时间：2025-09-11

- 抗高过载微压传感器
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2001年第4期页码：48-51
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金 !(696740 3 2 );“九五”传感器科技攻关项目 !(96-748-0 2 -0 1/ 0 2 )
- DOI：10.13873/j.1000-97872001.04.015
  中图分类号： TP212.12
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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抗高过载微压传感器[J]. 传感器与微系统, 2001,(4):48-51.
抗高过载微压传感器[J]. 传感器与微系统, 2001,(4):48-51. DOI： 10.13873/j.1000-97872001.04.015.

DOI：

在提高微压传感器灵敏度的研究过程中

会遇到非线性和稳定性变差、过载能力不够以及静电封接时背岛与玻璃粘接造成器件失效等现象。提出了应力匀散结构和两层岛的限位结构

利用有限元分析和近似解析分析

设计了新的双岛 -梁 -膜结构

成功地研制出抗高过载微压传感器。量程为 0 .3kPa

总精度为 0 .4%

过载能力 >140倍满量程

任建军,陶盛,沈绍群.静电键合力引起硅微结构畸变的研究[J].仪表技术与传感器,1997(01).

鲍敏杭,沈绍群,陈宏,马青华.微压压力传感器的结构改进[J].航空计测技术,1995(05).

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