纸质出版:2001
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SiC薄膜高温压力传感器[J]. 传感器与微系统, 2001,(2):1-3.
SiC薄膜高温压力传感器[J]. 传感器与微系统, 2001,(2):1-3. DOI: 10.13873/j.1000-97872001.02.001.
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SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器
并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
郝跃等编著.碳化硅宽带隙半导体技术[M].科学出版社,2000.
朱作云,李跃进,杨银堂,贾护军.SiC/Si异质生长的研究[J].西安电子科技大学学报,1997(01).
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