研究了在硅双晶基片上制备高临界温度 (Tc)

YBa2 Cu3 O7(YBCO)直流量子干涉器件 (DC SQUID)工艺及其特性。采用脉冲激光沉积技术在Si ( 10 0 )双晶基片上原位制备钇稳定氧化锆 (YSZ)、CeO2 隔离层、YBCO超导薄膜及非超导YBCO钝化层

超导薄膜临界温度为 88K。采用激光技术直接成型的硅双晶结符合典型电阻分路结RSJ模型

其IcRN 值在 77K下可达到 15 0 μV

具有Fraunhofer衍射状的Ic(H)特性。所实现的DC -SQUID器件电压 -磁通传输函数达 4.835 938GV/Wb

白噪声区及 1Hz下的噪声水平达 136 .47816zWb/Hz1/ 2 和 2 99.83839zWb/Hz1/ 2 。