纳米WO<sub>3</sub>-ZnS系H<sub>2</sub>S气敏元件的研究

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纳米WO₃-ZnS系H₂S气敏元件的研究

更新时间：2025-09-11

- 纳米WO₃-ZnS系H₂S气敏元件的研究
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2001年第1期页码：21-22
- 作者机构：
- 作者简介：
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- DOI：10.13873/j.1000-97872001.01.008
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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纳米WO₃-ZnS系H₂S气敏元件的研究[J]. 传感器与微系统, 2001,(1):21-22.
纳米WO₃-ZnS系H₂S气敏元件的研究[J]. 传感器与微系统, 2001,(1):21-22. DOI： 10.13873/j.1000-97872001.01.008.

DOI：

摘要

以纳米WO3 材料

分别掺入SnO2 、ZnS

制备成H2 S气敏元件。实验表明

当WO3 掺入适量ZnS

元件对H2 S气体具有较高的灵敏度及选择性

Abstract

关键词

Keywords

references

徐甲强，安春仙，李宝凤，朱文会.低温选择性硫化氢气敏元件的研制￣①[J].云南大学学报(自然科学版),1997(01).

全宝富，孙良彦，吴家琨.气敏元件的环境温度特性[J].传感器技术,1996(03).

全宝富,孙良彦.WO_3材料对H_2S气体的敏感特性[J].传感器世界,1996(02).

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