气-气复合型高选择性氢气敏感元件

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气-气复合型高选择性氢气敏感元件

更新时间：2025-09-11

- 气-气复合型高选择性氢气敏感元件
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- 传感器与微系统 1999年第6期页码：17-19
- 作者机构：
  
  太原理工大学应用物理系,太原,030024
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97871999.06.012
  中图分类号： TN37+9
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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徐海萍. 气-气复合型高选择性氢气敏感元件[J]. 传感器与微系统, 1999,(6):17-19.
徐海萍. 气-气复合型高选择性氢气敏感元件[J]. 传感器与微系统, 1999,(6):17-19. DOI： 10.13873/j.1000-97871999.06.012.

DOI：

根据半导体气敏元件电路工作原理，设计了一种新型的气－气复合型的半导体Ｈ２敏感元件，推导出了其灵敏度、选择性及热稳定性的关系式，指出了构成高选择性及好的热稳定性的复合气敏元件需满足的条件，并在实验中得到验证。

徐海萍,边志华,田玉明.添加剂对SnO_2气敏特性的影响[J].太原理工大学学报,1999(04).

徐甲强,秦建华,安春仙,张惠敏.半导体气体传感器的选择性研究[J].传感器世界,1997(08).

王彩君,黄智进,吴兴惠.气敏元件温漂特性的电路补偿技术[J].仪表技术与传感器,1997(07).

李标荣.气敏半导瓷及其敏感机理(上)[J].电子元件与材料,1991(01).

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