纳米SnO<sub>2</sub>的制备及其气敏特性分析

doi:10.13873/j.1000-97871999.06.007

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纳米SnO₂的制备及其气敏特性分析

更新时间：2025-09-11

- 纳米SnO₂的制备及其气敏特性分析
- 暂无标题
- 传感器与微系统 1999年第6期页码：1-3+7
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：10.13873/j.1000-97871999.06.007
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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纳米SnO₂的制备及其气敏特性分析[J]. 传感器与微系统, 1999,(6):1-3+7.
纳米SnO₂的制备及其气敏特性分析[J]. 传感器与微系统, 1999,(6):1-3+7. DOI： 10.13873/j.1000-97871999.06.007.

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摘要

半导体纳米粒子应用于气敏材料是一新兴的研究领域，综述了ＳｎＯ２半导体超细化处理的研究进展。对各种制备方法作了详细描述，控制材料粒径的大小及粒度的分布、保证纳米团簇的稳定存在是纳米ＳｎＯ２制备的关键；分析了纳米ＳｎＯ２半导体材料的气敏特性，由于材料的比表面积增大、活性位增多，而具有着优异的气敏性能；并对其应用前景做出了进一步的展望。

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