多晶硅敏感技术(连载五)

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多晶硅敏感技术(连载五)

更新时间：2025-09-11

- 多晶硅敏感技术(连载五)
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- 传感器与微系统 1994年第5期页码：55-64
- 作者机构：
  
  电子工业部第49研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97871994.05.016
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：1994
- 稿件说明：
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王善慈. 多晶硅敏感技术(连载五)[J]. 传感器与微系统, 1994,(5):55-64.
王善慈. 多晶硅敏感技术(连载五)[J]. 传感器与微系统, 1994,(5):55-64. DOI： 10.13873/j.1000-97871994.05.016.

DOI：

6 多晶硅压力传感器近些年来

随着多晶硅薄膜地深入研究

以在绝缘层上生长多晶硅薄膜(SOI)制作应变电阻器为敏感元件的压力传感器

其优越性已被广大研究者和生产部门所认可。 ①具有较大的压阻效应

最大值可达单晶硅的70％;并呈良好的线性。

吴宪平,胡美凤,沈嘉英,马青华.压阻式医用导管端微型压力传感器[J].传感技术学报,1993(03).

刘晓为,张国威,刘振茂,郭青,高家昌,范茂军,段治安,崔光浩.多晶硅高温压力传感器[J].传感器技术,1990(05).

汪洋.小量程压力传感器圆形平膜片的设计计算——兼和裴锡安同志商榷[J].传感器技术,1985(02).

鲍敏杭,吴宪平编著.集成传感器[M].国防工业出版社,1987.

袁希光主编.传感器技术手册[M].国防工业出版社,1986.

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