纸质出版:1994
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用<111>硅的自停止腐蚀方法制作硅膜[J]. 传感器与微系统, 1994,(2):49-51.
用<111>硅的自停止腐蚀方法制作硅膜[J]. 传感器与微系统, 1994,(2):49-51. DOI: 10.13873/j.1000-97871994.02.015.
DOI:
利用各向异性腐蚀和键合工艺
提出了一种新的自停止腐蚀方法
该方法可以得到大于1μm厚的均匀硅膜
可用于微传感器研制。
童勤义,徐晓莉,沈华,张会珍.硅片直接键合机理及快速热键合工艺[J].电子学报,1991(02).
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