掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

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掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

更新时间：2025-09-11

- 掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究
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- 传感器与微系统 1993年第6期页码：10-12+18
- 作者机构：
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- DOI：10.13873/j.1000-97871993.06.003
  中图分类号：
- 纸质出版：1993
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掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究[J]. 传感器与微系统, 1993,(6):10-12+18.
掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究[J]. 传感器与微系统, 1993,(6):10-12+18. DOI： 10.13873/j.1000-97871993.06.003.

DOI：

摘要

XPS分析表明

用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件

钯的溅射率比锡高

在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO

2

薄膜相比

此元件对还原性气体有很高的灵敏度

尤其对H

2

和CH

4

.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.

Abstract

关键词

Keywords

references

姚宗熙等编.物理电子学[M].西安交通大学出版社,1991.

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