纸质出版:1993
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对H2S气敏元件特性的改进[J]. 传感器与微系统, 1993,(4):42-45+60.
对H2S气敏元件特性的改进[J]. 传感器与微系统, 1993,(4):42-45+60. DOI: 10.13873/j.1000-97871993.04.011.
DOI:
以ZnO为基体材料制作的H
2
S气敏元件比SnO
元件对H
S气体的选择性和响应恢复特性有明显的改善。这为元件的实用化创造了有利的条件。
全宝富,孙良彦,张清.高选择性H_2S气敏元件及其特性[J].吉林大学自然科学学报,1989(04).
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