纸质出版:1993
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极薄氧氮化硅膜新技术[J]. 传感器与微系统, 1993,(2):30.
极薄氧氮化硅膜新技术[J]. 传感器与微系统, 1993,(2):30. DOI: 10.13873/j.1000-97871993.02.009.
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日本冲电气工业公司已研制成用于64M DRAM和4M EE PROM等极薄氧氮化硅膜(膜厚10nm以下)新技术。 该技术
首先在纯氧气氛中
在硅上采用快速加热法形成极薄的氧化硅膜。接着
把纯氧换成亚氧化氮
再用同样方法处理。采用这种工艺能形成极薄而均匀的电特性很好的氧氮化硅薄膜。其特点是:(1)由于
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