100％（002）取向的AlN压电膜经过化学气相沉积（CVD）工艺被淀积在石英、蓝宝石和LMN陶瓷上。在1020-1040K的温度区间其生长率达到>20nms

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。这些膜具有已知的任何压电材料最高的数值（125）和绝缘强度(>2×10～7Vcm

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)。其相对介电常数约为8.6

厚向（机电）耦合系数K_t值为20％。这种膜在≤1430K温度显示出超声响应。30MHz纵波换能器产生在石英延迟棒上的信号强度和在ZnO器件上产生的信号强度相差不大。未被冷却的、高温超声器件是使用取向的AlN膜研制的。