纸质出版:1992
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一种新型背面接触式H+-ISFET[J]. 传感器与微系统, 1992,(4):12-15.
一种新型背面接触式H+-ISFET[J]. 传感器与微系统, 1992,(4):12-15. DOI: 10.13873/j.1000-97871992.04.003.
DOI:
简要地介绍了氢离子敏场效应晶体管(H
+
-ISFET)的基本结构和工作原理
提出了一种新型背面接触式H
-ISFET。对该结构在版图、工艺设计中的有关问题
进行了探讨。最后指出:它在pH值的测量中有较好的实用价值。
张建人 编著.MOS集成电路分析与设计基础[M].电子工业出版社,1987.
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