氧化物半导体的表面过程与气敏机理

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氧化物半导体的表面过程与气敏机理

更新时间：2025-09-11

- 氧化物半导体的表面过程与气敏机理
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- 传感器与微系统 1991年第6期页码：1-7
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- DOI：10.13873/j.1000-97871991.06.001
  中图分类号：
- 纸质出版：1991
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氧化物半导体的表面过程与气敏机理[J]. 传感器与微系统, 1991,(6):1-7.
氧化物半导体的表面过程与气敏机理[J]. 传感器与微系统, 1991,(6):1-7. DOI： 10.13873/j.1000-97871991.06.001.

DOI：

本文讨论了金属氧化物表面的气—固

气—气反应及其相关的电子过程。这是金属氧化物半导体电阻型气敏传感器作用机理的基础。在此基础上

定性和半定量地解释了许多实验事实。

G. Heiland.Zum Einflu? von adsorbiertem Sauerstoff auf die elektrische Leitf?higkeit von Zinkoxydkristallen[J].Zeitschrift für Physik,1954(3).

徐毓龙著.氧化物与化合物半导体基础[M].西安电子科技大学出版社,1991.

(苏)约飞(А.Ф.Иоффе)著,汤定元等译.半导体物理学[M].科学出版社,1958.

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