ISFET虽然具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点而倍受人们的重视

但是这类器件还存在着漂移和滞后量大等不足

影响了测量精度。众所周知

对于一价离子

如按Nernst公式估算

每1mV的测量偏差大约相当于4％的浓度误差或2％的pX误差（pX=-logα

x

）。对于二价离子

则误差将加倍。实际测量中温漂和滞后是比较明显的。例如pH-ISFET的温漂可达几mV/℃

滞后达数mV到十几mV

器件的时漂约为0.1～1mV/h。值得指出的是pH-ISFET的响应分为快响应和慢响应两部分

前者响应极快

一般在ms数量级

而后者可能长达数小时之久

在此期间器件的输出明显地随时间变化。由此可见