北京理工大学电子工程系
纸质出版:1991
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谢会开. ISFET的新突破—BSC-ISFET初探[J]. 传感器与微系统, 1991,(4):33-34+20.
谢会开. ISFET的新突破—BSC-ISFET初探[J]. 传感器与微系统, 1991,(4):33-34+20. DOI: 10.13873/j.1000-97871991.04.009.
DOI:
BSC-ISFET(Back-Side Contacted ISFEI)即背面引线离子敏感器件是化学传感器的又一突破。本文重点介绍其基本结构和工艺特点
并简述其发展概况。
吴宪平,鲍敏杭.论硅的各向异性腐蚀[J].传感器技术,1987(01).
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