化学量传感器

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化学量传感器

更新时间：2025-09-11

- 化学量传感器
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- 传感器与微系统 1990年第3期页码：56-60+55
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- DOI：10.13873/j.1000-97871990.03.013
  中图分类号：
- 纸质出版：1990
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化学量传感器[J]. 传感器与微系统, 1990,(3):56-60+55.
化学量传感器[J]. 传感器与微系统, 1990,(3):56-60+55. DOI： 10.13873/j.1000-97871990.03.013.

DOI：

二、pH-ISFET的基本结构与工作原理氢离子敏场效应晶体管(pH-ISFET)与MOSFET的区别仅在于后者的金属栅被氢离子敏感膜所代替

二者都是建立在半导体表面场效应基础上的器件

有许多相似之处

因而可将MOSFET的理论分析及其结果直接用于对pH-ISFET的分析上。为此

有必要首先介绍一些MOSFET的有关问题。

虞惇,武世香,王跃林,张玉良.氢离子敏场效应晶体管pH—ISFET的研究[J].哈尔滨工业大学学报,1985(A8).

张屏英,周估谟编.晶体管原理[M].上海科学技术出版社,1985.

浙江大学半导体器件教研室编.晶体管原理[M].国防工业出版社,1980.

上海无线电十四厂,上海科学技术大学编.场效应半导体器件[M].上海人民出版社,1972.

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