利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。