纸质出版:1989
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张平. 镍铬硅和镍硅合金的热电迟滞[J]. 传感器与微系统, 1989,(1):22-26.
张平. 镍铬硅和镍硅合金的热电迟滞[J]. 传感器与微系统, 1989,(1):22-26. DOI: 10.13873/j.1000-97871989.01.009.
DOI:
在200~1200℃温发范围内
加热时间至300h的条件下
研究了镍铬硅和镍硅热电偶合金塞贝克系数的迟滞现象。对于这两种合金
迟滞峰值在400℃和700℃附近出现。镍铬硅合金低温条件下的迟滞峰值较小(
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0.05μ)700℃附近的峰值在加热50h后增加到约0.31μVK
-1
在此之后几乎不再变化。镍硅合金的两个迟滞峰值在加热100h后约为0.2μVK
随时间不断增加
在300h后达到0.3μVK
。研究表明迟滞是造成这种热电偶不稳定的主要原因
并提出镍硅合金的迟滞在制造过程中可以大大地降低。
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