长沙国防科技大学
纸质出版:1988
移动端阅览
梁建成. 具有亚毫微米分辨率的光电位移传感器[J]. 传感器与微系统, 1988,(5):30-32.
梁建成. 具有亚毫微米分辨率的光电位移传感器[J]. 传感器与微系统, 1988,(5):30-32. DOI: 10.13873/j.1000-97871988.05.008.
DOI:
本文设计了用于超精密加工技术的具有亚毫微米分辩率的超精密光电位移传感器。这种传感器的设计原理是:当被测表面有一微小位移时
其表面的反射光在某一特定点的光强变化具有很高的灵敏性。该传感器由单一光源、被测物及参考表面、用于反射光传输的光纤束和光电二极管等构成。实际测量时
通过光纤束传输的单一光源的光照射枝测物表面和参考表面
两表面的反射光又通过光纤束传输到两个独立但等同的光电二极管上
通过差动放大器
光电二极管给出包括反射光全部信号在内的高灵敏度位移信号。这种传感器在性能上具有某些显著的特点
如:非接触测量、0.5nm的高分辩率、线性误差在5%以内的约30μm宽的工作范围
以及可以充分满足一定研究目的的每20秒仅漂移1nm的稳定性。
0
浏览量
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构