本文报导了应用塞贝克效应的CH—1型硅集成热电堆红外传感器的研究结果。该器件采用集成电路工艺技术及硅的微细加工技术研制而成。测得器件性能为:波段为8～14μm

电阻值为4±1kΩ

响应率为10～15V/W

时间常数

<

100ms

探测值D

*

～1×10～8cm （Hz）

1/2

/W。并对器件的膜厚与响应率关系、电阻值、响应与温度的关系进行了初步讨论。