纸质出版:1988
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离子注入吸杂技术在64楔环硅光电二极管阵列探测器中的应用[J]. 传感器与微系统, 1988,(3):53-57+61.
离子注入吸杂技术在64楔环硅光电二极管阵列探测器中的应用[J]. 传感器与微系统, 1988,(3):53-57+61. DOI: 10.13873/j.1000-97871988.03.015.
DOI:
在64楔环硅光电二极管阵列探测器(简称64阵列探测器)的研制工作中
采用离子注入损伤吸杂技术已获得良好的结果
它使64阵列探测器的暗电流明显下降
使平面pn结二极管的反向偏置耐压性显著提高
动态范围大有扩展
器件的其它性能也得到不同程度的改善
管芯合格率由30%提高到50%。目前
离子注入吸杂技术已作为一种常规工艺应用于64楔环硅光电二极管阵列探测器的研制。
潘姬,齐建华,赵鸿麟,汪一沙,王春亮.Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系[J].半导体学报,1985(03).
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