纸质出版:1987
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高温半导体力敏传感器材料研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):76.
高温半导体力敏传感器材料研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):76. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.150.
DOI:
目前
半导体力敏传感器大多采用在n型硅单晶上进行硼注入或硼扩散
形成四个扩散电阻
将这四个扩散电阻连接成惠斯登电桥
当无压力作用在硅片时
理想情况电桥输出为零
当有压力作用时
电桥平衡被打破
输出信号的大小由压力决定。由于该力敏传感器利用p-n结隔离方式进行工作
因此
该力敏传感
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