QM-Y1型ZnSnO<sub>3</sub>气敏元件的研究

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QM-Y1型ZnSnO₃气敏元件的研究

更新时间：2025-09-11

- QM-Y1型ZnSnO₃气敏元件的研究
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- 传感器与微系统 1987年第Z1期页码：51
- 作者机构：
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- DOI：10.13873/j.1000-97871987.z1.100
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
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QM-Y1型ZnSnO₃气敏元件的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):51.
QM-Y1型ZnSnO₃气敏元件的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):51. DOI： 10.13873/j.1000-97871987.z1.100.

DOI：

摘要

半导体气敏元件是一种“气-电”转换元件

目前进入实用阶段的有SnO

3

系列、ZnO系列及Fe

2

O

3

系列。除Zn

3

SnO

4

的气敏性质有报导外

以ZnSnO

3

为主体材料的气敏元件则至今未见文献和专利报导。本文研究了ZnSnO

3

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