制做PIN结型射线敏感器件需要高阻的元素半导体材料——锗、硅单晶。本文主要介绍高阻锗、硅单晶通过锂的扩散、漂移而形成近本征区(Ⅰ)的方法

形成PIN结的机理和这种敏感器件的主要性能及用途。并且以同轴型锗(锂)γ射线敏感器件为例加以详细说明。