纸质出版:1987
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新型高灵敏度高压光敏固体开关[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):33-34.
新型高灵敏度高压光敏固体开关[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):33-34. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.065.
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在器件设计中考虑的主要因素包括:横向光耦合p-n-p-n器件的高耐压化问题;高发光效率的GaAs LED;光触发灵敏度以及p-n-p-n元件与LED的组合封装问题。横向p-n-p-n器件采用圆弧形的几何图形和透明场极板结构
这种透明场极板结构
不仅能
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