合肥工业大学应用物理系
纸质出版:1987
移动端阅览
高启安. ITO-Si异质结及光电特性[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):32.
高启安. ITO-Si异质结及光电特性[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):32. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.061.
DOI:
ITO/Si异质结光电器件与p-n结光电池比较具有工艺简单、转换效率高等特点。 ITO是In
2
O
3
与SnO
按一定比例的混合物。用电阻加热真空蒸发法制备
避免了环境沾污
得到的特性较好。 ITO有着多种功用
首先ITO为高带隙材料
可用作光电池的光入射窗口
又可作为收集光电流的电极
在基底半导体Si上形成势垒作为SIS结的一层以及抗反射层等。在一定条
0
浏览量
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构