纸质出版:1987
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新型表面耗尽区光探测器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):31-32.
新型表面耗尽区光探测器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):31-32. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.060.
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当前出现的结型光探测器
其结构为传统的平面p-n结。在这种表面杂质扩散层中掺掺浓度较高
光生少子寿命较低。这对于表面
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