GaAs<sub>1-x</sub>P<sub>x</sub>光敏器件的试制

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GaAs_1-xP_x光敏器件的试制

更新时间：2025-09-11

- GaAs_1-xP_x光敏器件的试制
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- 传感器与微系统 1987年第Z1期页码：30
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- DOI：10.13873/j.1000-97871987.z1.057
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
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GaAs_1-xP_x光敏器件的试制[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):30.
GaAs_1-xP_x光敏器件的试制[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):30. DOI： 10.13873/j.1000-97871987.z1.057.

DOI：

摘要

本文介绍的试制工作是采用混晶GaAs

1-x

P

x

取得

吸收限在700nm左右。这样制得的器件对光敏感的范围在400～700nm。测试表明

峰值在620nm处。光波长敏感曲线和人眼视感曲线相当吻合

而又响应快

体积小

寿命长

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