合肥工业大学应用物理系
纸质出版:1987
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高启安. 非晶硅光电导及其特性[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):30.
高启安. 非晶硅光电导及其特性[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):30. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.056.
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本文简要论述氢化非晶硅(α-Si:H)的特性。描述了我们的研制系统。给出了实验结果及本征α-Si:H GD法生长光电导的最佳条件点。即在基底温度为265℃、射频源一定功
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