纸质出版:1987
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紫外-可见-近红外硅光伏探测器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):28.
紫外-可见-近红外硅光伏探测器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):28. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.050.
DOI:
我们设计研究了p
+
/p/n结构的硅光伏探测器。由于UVC波段的辐射在硅中的透入深度很浅
约10nm
光生载流子绝大多数都在表面附近产生。所以
减少表面复合与重掺杂区的俄歇复合损失
以及防止重掺杂引起的能隙收缩是极为重要的。所研制的p
/p前表面高低结对于减少表面损失增大紫外波段的响应率是有
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