电子部11所
纸质出版:1987
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丛远见. 光伏型外延InSb红外探测器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):25-26.
丛远见. 光伏型外延InSb红外探测器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):25-26. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.045.
DOI:
用液相外延技术形成p-n结
即在p型InSb衬底上生长一层n
+
-InSb层。采用液相外延法制成的p-n结具有晶格完整、杂质分布均匀
结性能稳定等优点
因而适于制造高性能的多元光伏红外探测器。同时因为外延结是n
p结
所以用它制造的光伏器件可直接与n沟光伏CCD互联。
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