纸质出版:1987
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掺锗InSb单晶拉制方法的改进[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):25.
掺锗InSb单晶拉制方法的改进[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):25. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.044.
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掺锗锑化铟单晶的杂质浓度对制造光导锑化铟探测器来说
是一个重要参数。因而在拉晶工艺中控制杂质的掺杂量
使晶体的杂质浓度满足要求值是必需的。因此
本实验首先确定了锗在锑化铟中分布系数K值的范围
然后试验了一种更简便的控制杂质浓度的拉晶方
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