薄膜制备分别用电子束和电阻加热的方法真空蒸发制备了CdTe薄膜。真空度为1～5×10

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蒸发源采用钼舟内放入纯度为99.999％的本征CdTe单晶块

由于我们采用的是CdTe单晶的边角料

纯度虽高

但成本较低;基板采用经过清洗处理的微晶玻璃片;