武汉34527部队
纸质出版:1987
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刘仲明. 钯栅MOS氢敏传感器稳定性的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):20.
刘仲明. 钯栅MOS氢敏传感器稳定性的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):20. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.035.
DOI:
本研究的目的是从提高钯栅表面活性出发
探索克服钯栅的“起泡”效应
提高器件稳定性的措施。 我们采用半导体集成工艺
获得n沟道MDSFET
溅射厚500A的钯栅
然后在298℃流动空气中活化半小时
发现已活化的钯栅表面呈均匀致密活化层
经多次使用后未
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