纸质出版:1987
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离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制——PVC膜硝酸根半导体传感器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):20.
离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制——PVC膜硝酸根半导体传感器[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):20. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.034.
DOI:
本文报导的PVC膜硝酸根半导体传感器(简称NO
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-ISFET)是在场效应晶体管的绝缘栅上制作一层对硝酸根离子敏感的PVC膜。其敏感膜以乙基紫—NO
缔合物为电活性物质。制作工艺简单
响应时间快
易集成化
稳定性和重现性都很好
有利于推广应用。 这种传感器的制造是采用集成电路工艺制
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