纸质出版:1987
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铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):19.
铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):19. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.033.
DOI:
我们采用半导体平面工艺技术
制造栅绝缘膜为Si
3
N
4
/SiO
2
的n沟道耗尽型氢离子敏感半导体器件
再在栅绝缘膜上通过溅射等方法制造一层以季铵盐为活性物质的PVC膜;然后把器件灌封在聚乙烯塑料管中。将铬离子敏感
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