Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>栅氢离子敏感场效应晶体管性能研究

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Si₃N₄栅氢离子敏感场效应晶体管性能研究

更新时间：2025-09-11

- Si₃N₄栅氢离子敏感场效应晶体管性能研究
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- 传感器与微系统 1987年第Z1期页码：19
- 作者机构：
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- DOI：10.13873/j.1000-97871987.z1.032
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
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Si₃N₄栅氢离子敏感场效应晶体管性能研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):19.
Si₃N₄栅氢离子敏感场效应晶体管性能研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):19. DOI： 10.13873/j.1000-97871987.z1.032.

DOI：

摘要

我们采用疏水性和化学稳定性好且易于制作的Si

3

N

4

作H

+

—ISFET敏感材料

对Si

3

N

4

栅H

+

—ISFET的电化学性能进行了较为仔细的测试工作

针对目前离子敏感器件普遍存在的温漂、时漂、重复性差等问题作了一定的试验工作。 Si

3

N

4

栅H

+

—ISFET的管芯制作采用半导

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