纸质出版:1987
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pH-ISFET微机温度补偿技术的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):18.
pH-ISFET微机温度补偿技术的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(Z1):18. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.z1.029.
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近年来
国内外对离子敏场效应晶体管开展了大量的研究工作
且进展迅速。但此类器件的温漂过大
影响了其推广应用。如氢离子敏场效应晶体管pH-ISFET温漂可达1~10mV/℃
而器件的灵敏度约为50mV/pH
故而温度引入的测量误差是相当可观的。因此ISFET的温度补偿技术已成为八十年代国内外十分关注的一个重要研究课题。
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