天津理工学院
纸质出版:1987
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邹志刚. 厚膜型γ—Fe2O3气敏元件的一次烧成工艺及气敏特性的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(4):14-17+27.
邹志刚. 厚膜型γ—Fe2O3气敏元件的一次烧成工艺及气敏特性的研究[J]. 传感器与微系统, 1987,(4):14-17+27. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.04.003.
DOI:
木文研究了以γ—Fe
2
O
3
为起始原料
一次烧成法制备γ—Fe
半导体陶瓷新工艺及其影响因素。测定出电阻率——烧成温度特性曲线
并与以Fe
4
为起始原料的二次烧成工艺作了比较。借助XRD、SEM分析和观察
认为显微结构的变化是导致气敏元件失效的原因。适当控制一次烧成工艺
可以制备出性能优异的半导体陶瓷气敏元件。
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