利用膜片上的n沟道增强型MOSFET和径向排列的n

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扩散电阻器研究了兰宝石—硅膜（SOS）的压阻效应。SOS材料上的扩散电阻器由压力产生的电导变化与块状硅片上的相差不大。但SOS材料和块状硅片上的MOSFET的结果却有明显区别。根据反型层的变形势能理论和表面量子效应进行了理论探讨

得出如下结论:实验结果可以用SOS材料中的余应变效应加以解释。所观察到的特性表明

作为压力传感器使用SOS材料有良好的性能。