纸质出版:1987
移动端阅览
离子注入GaAs Hall元件的不等位电势[J]. 传感器与微系统, 1987,(2):34-38+24.
离子注入GaAs Hall元件的不等位电势[J]. 传感器与微系统, 1987,(2):34-38+24. DOI: 10.13873/j.1000-97871987.02.006.
DOI:
实验得到Hall元件的不等位电势Vo与元件的不对称因子和薄层电阻两者乘积成正比。实验表明
对离子注入Hall元件
Vo主要由载流子浓度分市的均匀性决定
均匀性好
Vo小
成品率高。通过提高注入剂量并采用轻度腐蚀减薄方法
可得到较高的元件灵敏度和较小的Vo。
0
浏览量
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构