CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟

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CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟

更新时间：2025-09-11

- CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟
- CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟
- 传感器与微系统 1986年第2期页码：41-48+40
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- DOI：10.13873/j.1000-97871986.02.008
  中图分类号：
- 纸质出版：1986
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[1]Arokia Nathan,徐启华.CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟[J].传感器技术,1986(02):41-48+40.

CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟[J]. 1986, (2): 41-48+40.
[1]Arokia Nathan,徐启华.CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟[J].传感器技术,1986(02):41-48+40. DOI： 10.13873/j.1000-97871986.02.008.

CMOS技术中磁传感器的二维数字模拟[J]. 1986, (2): 41-48+40. DOI： 10.13873/j.1000-97871986.02.008.

摘要

在此我们介绍最近在标准的CMOS技术中实现的两种集成硅的二维数字模拟磁传感器

即双漏MOSFET以及分别对垂直和平行于薄片表面的磁场敏感的竖直霍尔效应元件。结果包括电势

电流、面电荷分布其灵敏度

线性度

噪音等问题

提出了改进元件较理想的几何尺寸、运用了有限差分和新格林函数近似两种方法求解了在磁场存在下载流子输运的微分方程。

Abstract

在此我们介绍最近在标准的CMOS技术中实现的两种集成硅的二维数字模拟磁传感器

即双漏MOSFET以及分别对垂直和平行于薄片表面的磁场敏感的竖直霍尔效应元件。结果包括电势

电流、面电荷分布其灵敏度

线性度

噪音等问题

提出了改进元件较理想的几何尺寸、运用了有限差分和新格林函数近似两种方法求解了在磁场存在下载流子输运的微分方程。

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