电子工业部第49研究所
纸质出版:1986
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黄鸿雁. 单晶硅压力传感器技术进展[J]. 传感器与微系统, 1986,(2):14-22+26.
黄鸿雁. 单晶硅压力传感器技术进展[J]. 传感器与微系统, 1986,(2):14-22+26. DOI: 10.13873/j.1000-97871986.02.004.
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硅材料可分为单晶硅、多品硅和非晶硅。从结构上来说
单晶硅最简单
非晶硅最复杂。用这三种材料都可以制造压力传感器。这些压力传感器大致可以分成四种形式
即压阻式、电容式、MOS式和薄膜式。前三种主要以单晶硅制造
后一种主要以多晶硅和非晶硅制造。目前制造压力传感器仍以单晶硅为主
但从发展趋势来看似有向多品与非晶的薄膜式方向进展的势头。
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